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國(guó)興技術(shù)-晶元等離子體處理系統(tǒng)GX-H80

國(guó)興技術(shù)-晶元等離子體處理系統(tǒng)GX-H80

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產(chǎn)品展示

晶元等離子體處理系統(tǒng)GX-H80裝置的組成:

等離子體表面處理裝置由反應(yīng)腔體(又稱真空腔體)、真空系統(tǒng)、等離子體發(fā)生系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、進(jìn)氣流量控制系統(tǒng)等組成。

考慮到生產(chǎn)操作的簡(jiǎn)便和效率,被處理材料的邊料節(jié)約以及該處理裝置的性價(jià)比,本裝置擬考慮采用水平式放置結(jié)構(gòu)。反應(yīng)腔由真空室、平板式電極組成,是等離子體(Plasma)處理反應(yīng)的有效空間,待處理物品水平置于反應(yīng)腔內(nèi)并可以設(shè)計(jì)成多層結(jié)構(gòu)便于大批量作業(yè);真空系統(tǒng)由真空閥門、真空泵以及真空管路、真空系統(tǒng)控制執(zhí)行元件等組成,負(fù)責(zé)將反應(yīng)腔內(nèi)的空氣抽至預(yù)先的設(shè)定值并在工作時(shí)維持相應(yīng)的真空度;考慮到本裝置被處理材料要求清潔和活化作用,故本裝置的等離子體發(fā)生源擬采用波形經(jīng)過特殊處理的、具有高速震蕩功能的等離子體發(fā)生源,該系統(tǒng)源為反應(yīng)腔提供等離子體能量,以激發(fā)反應(yīng)腔內(nèi)的被反應(yīng)氣體急劇震蕩電離,形成所需要的具有清潔能力的等離子體(Plasma);電控系統(tǒng)的作用是按照預(yù)設(shè)的工藝參數(shù)和步驟,智能最優(yōu)自動(dòng)控制該裝置的工藝流程的全過程,并能自整定維持工藝參數(shù)的穩(wěn)定性;工藝反應(yīng)氣體進(jìn)氣流量控制系統(tǒng)主要由質(zhì)量流量計(jì)和自控電磁閥門組成,其作用是精確控制反應(yīng)氣體的進(jìn)氣量,并維持工作期間所需要的真空度值。

晶元等離子體處理系統(tǒng)GX-H80采用PLC可編程式控制,人機(jī)對(duì)話采用觸摸屏設(shè)置和顯示,界面友好,處理參數(shù)可以在觸摸屏上任意設(shè)定,具有手動(dòng)/自動(dòng)切換功能。自動(dòng)操作采用“一鍵式”,工作過程完全由計(jì)算機(jī)自動(dòng)控制完成。手動(dòng)操作由用戶在手動(dòng)模式界面上自行完成。

晶元等離子體處理系統(tǒng)GX-H80


晶元等離子體處理系統(tǒng)GX-H80主要技術(shù)參數(shù):

整機(jī)外形尺寸

660mm×950mm×1700mm(W×D×H)

真空腔體尺寸

450mm×450mm×400mm(W×D×H)

真空腔體容積

80L

水準(zhǔn)電極尺寸

內(nèi)置平板式電極,420×310mm(W×D)

可載物層數(shù)

6層

等離子發(fā)生生系統(tǒng)

射頻等離子源(13.56MHZ) 功率,0-500W

控制系統(tǒng)

觸摸屏+PLC全自動(dòng)控制

進(jìn)氣系統(tǒng)

2路進(jìn)氣、1路放空                            

所有設(shè)備均可進(jìn)行非標(biāo)定制,其他參數(shù),涉及到公司內(nèi)部機(jī)密,請(qǐng)您來電咨詢。


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