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昆山plasma半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的應(yīng)用:晶片與封裝基板的粘接，往往是兩種不同性質(zhì)的材料，材料表面通常呈現(xiàn)為疏水性和惰性特徵，其表面粘接性能較差，粘接過程中介面容易產(chǎn)生空隙，給密封封裝後的晶片帶來很大的隱患，對晶片與封裝基板的表面進行等離子體處理能有效增加其表面活性，極大的改善粘接環(huán)氧樹脂在其表面的流動性，提高晶片和封裝基板的粘結(jié)浸潤性，減少晶片與基板的分層，改善熱傳導(dǎo)能力，提高IC封裝的可靠性、穩(wěn)定性，增加產(chǎn)品的壽命。
昆山plasma半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的應(yīng)用:積體電路引線鍵合的品質(zhì)對微電子器件的可靠性有決定性影響，鍵合區(qū)必須無污染物並具有良好的鍵合特性。污染物的存在，如氧化物、有機殘渣等都會嚴重削弱引線鍵合的拉力值。傳統(tǒng)的濕法清洗對鍵合區(qū)的污染物去除不徹底或者不能去除，而採用等離子體清洗能有效去除鍵合區(qū)的表面沾汙並使其表面活化，能明顯提高引線的鍵合拉力，極大的提高封裝器件的可靠性。
昆山plasma半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的應(yīng)用:在倒裝晶片封裝方面，對晶片以及封裝載板進行等離子體處理，不但能得到超淨(jìng)化的焊接表面，同時還能大大提高焊接表面的活性，可以有效的防止虛焊，減少空洞，提高焊接的可靠性，同時可以提高填充料的邊緣高度和包容性，改善封裝的機械強度，降低因不同材料的熱膨脹係數(shù)而在介面間形成內(nèi)應(yīng)的剪切力，提高產(chǎn)品可靠性和壽命。
昆山plasma半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的應(yīng)用:微電子封裝領(lǐng)域採用引線框架的塑封形式，仍占到80%以上，其主要採用導(dǎo)熱性、導(dǎo)電性、加工性能良好的銅合金材料作為引線框架，銅的氧化物與其它一些有機污染物會造成密封模塑與銅引線框架的分層，造成封裝後密封性能變差與慢性滲氣現(xiàn)象，同時也會影響晶片的粘接和引線鍵合品質(zhì)，確保引線框架的超潔淨(jìng)是保證封裝可靠性與良率的關(guān)鍵，經(jīng)等離子體處理可達到引線框架表面超淨(jìng)化和活化的效果，成品良率比傳統(tǒng)的濕法清洗會極大的提高，並且免除了廢水排放，降低化學(xué)藥水採購成本。
